CoolSiC 62 mm-Modul eröffnet neue Anwendungen für Siliziumkarbid | Elektronik News
Infineon stellt 650-V-SiC-MOSFETs im D²PAK-Gehäuse vor
40 A/30 V Leistungs-MOSFET benötigt nur 3,3 x 3,3 mm²: DI040N03PT-AQ: Niedriger Rds(on) im winzigen QFN3x3-Gehäuse
Nexperia steigt in den SiC-MOSFET-Markt ein
5 Stück Power MOSFET-Transistoren IRFP064N, IRFP150N, IRFP240N, IRFP260N: TO-247-Gehäuse Für Audio-Verstärker Und Motorsteuerungsanwendungen - Temu Germany
Automotive MOSFETs – Auf die Verpackung kommt es an
SiC-MOSFETs C3M™ im TOLL-Gehäuse - Wolfspeed | Mouser
G3VM-VY MOSFET-Relais im SOP-Gehäuse - Omron Electronics | Mouser
P-Kanal-MOSFET im LFPAK-Gehäuse - Nexperia | DigiKey
IRLZ44N Transistor N Channel MOSFET - CASE: TO220 MAKE: International Rectifier | eBay
Superjunction-MOSFETs von Nexperia | Elektor Magazine
News | channel-e
3D Freunde Mosfet Case, MOS Gehäuse von Rob | Kostenloses STL-Modell herunterladen | Printables.com
Neues Gehäuse für OptiMOS™-Leistungs-MOSFETs ermöglicht Source-Down-Technologie von 25 V bis 100 V für 3,3 x 3,3 mm2-PQFN-Gehäuse - Infineon Technologies